[发明专利]提高钝化完整性的系统和方法有效
| 申请号： | 201410320227.4 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104425567B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 廖盈杰;杨汉威;赖振群;郭康民;田博仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L23/528;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有提高的钝化完整性的半导体器件。该器件包括衬底、第一层和金属层。第一层形成在衬底上方。第一层包括通孔开口和邻近通孔开口的锥形部分。金属层形成在第一层的通孔开口和锥形部分上方。金属层基本没有间隙和空隙。本发明还提供了提高钝化完整性的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 钝化 完整性 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种具有提高的钝化完整性的半导体器件，所述器件包括：衬底；第一层，形成在所述衬底上方，其中，所述第一层包括通孔开口和邻近所述通孔开口的锥形部分，所述锥形部分包括一个或多个调节杆开口；以及金属层，形成在所述第一层的所述通孔开口和所述锥形部分上方，其中，所述金属层没有间隙和空隙，其中，所述通孔开口和所述调节杆开口中填充有部分所述金属层。
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