[发明专利]一种真空低温湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201410319809.0 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN105280519A | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 兰育辉;陈宏 | 申请（专利权）人： | 张家港市超声电气有限公司;兰育辉;陈宏 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/30 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司 32252 | 代理人： | 田媛;靳静 |
| 地址： | 215618 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及半导体激光二极管(LD)及光电二极管(PD)和发光二极管（LED）芯片制造领域,尤其涉及一种真空低温湿法刻蚀设备及方法，该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。该方法解决目前由于控制参数的唯一性,虽然在线宽条件能够达到工艺要求下,产品坡度角在目前的刻蚀方法下仍无法达到产品工艺要求,从而降低了人工湿法刻蚀方法的工序控制能力,増加了产品出现不良品的概率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 真空 低温 湿法 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种真空低温湿法刻蚀方法,其特征是：该方法包括真空芯片表面形态预处理工艺、真空芯片表面溶剂浸透预处理工艺、真空低温化学湿法刻蚀工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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