[发明专利]减小MEMS器件中的玻璃充电效应无效
| 申请号： | 201410319200.3 | 申请日： | 2014-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN104281732A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | M.W.韦伯;T.J.汉森 | 申请（专利权）人： | 霍尼韦尔国际公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 马红梅;徐红燕 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种控制微机电系统（MEMS）器件中的暴露的玻璃充电的方法。该方法包括提供包括远离至少一个感测板和至少一个外部金属化层定位的质量块的MEMS器件，其中至少一个导电玻璃层耦合到感测板和外部金属化层，导电玻璃层包括靠近质量块的至少一个暴露的玻璃部分；以及将第一电压应用到感测板并且将第二电压应用到外部金属化层。第一电压通过预确定的电压水平从第二电压分离，使得暴露的玻璃部分具有对应于第一电压与第二电压之间的电压中值的平均电压。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 mems 器件 中的 玻璃 充电 效应 | ||
【主权项】：
一种控制微机电系统（MEMS）器件中的暴露玻璃充电的方法，所述方法包括：提供包括脱离至少一个感测板和至少一个外侧金属化层定位的检测质量块的MEMS器件，其中至少一个导电玻璃层耦合到感测板和外侧金属化层，导电玻璃层包括靠近检测质量块的至少一个暴露的玻璃部分；以及将第一电压施加到感测板并且将第二电压施加到外侧金属化层，第一电压通过预定电压水平从第二电压分离，使得暴露的玻璃部分具有对应于第一电压与第二电压之间的电压中值的平均电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于霍尼韦尔国际公司，未经霍尼韦尔国际公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410319200.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发动机系统
- 下一篇：降低半导体器件功耗的系统及方法
