[发明专利]放射线摄像装置和放射线摄像显示系统

摘要

本发明提供了放射线摄像装置和放射线摄像显示系统，以抑制晶体管特性劣化且实现高可靠性。该放射线摄像装置包括：多个像素，所述多个像素中的各者分别被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，其用于从所述多个像素读出所述信号电荷。所述晶体管包括：半导体层，其包括活性层；第一栅极电极，其被设置成面对所述半导体层；第一栅极绝缘膜，其被设置于所述半导体层与所述第一栅极电极之间，且包括第一硅氧化物膜；源极电极和漏极电极，它们二者与所述半导体层电连接；以及第二硅氧化物膜，其被设置于与所述第一栅极绝缘膜不同的层中。所述第一栅极绝缘膜的所述第一硅氧化物膜是膜密度低于所述第二硅氧化物膜的膜密度的多孔膜。

主权项

1.一种放射线摄像装置，其包括：多个像素，所述多个像素中的各者分别被构造成生成基于放射线的信号电荷；以及场效应晶体管，所述场效应晶体管用于从所述多个像素读出所述信号电荷，其中所述场效应晶体管包括：半导体层，所述半导体层包括活性层；第一栅极电极，所述第一栅极电极被设置成面对所述半导体层；第一栅极绝缘膜，所述第一栅极绝缘膜被设置于所述半导体层与所述第一栅极电极之间，并且包括第一硅氧化物膜；源极电极和漏极电极，它们二者与所述半导体层电连接；以及第二硅氧化物膜，所述第二硅氧化物膜被设置于与所述第一栅极绝缘膜不同的层中，并且所述第一栅极绝缘膜的所述第一硅氧化物膜是膜密度低于所述第二硅氧化物膜的膜密度的多孔膜。