[发明专利]具有增加的沟道外围的金属氧化物半导体（MOS）器件及制造的方法有效
| 申请号： | 201410310922.2 | 申请日： | 2014-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN104282758B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | A.V.博罗特尼科夫;P.A.罗西 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 蒋骏;姜甜 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 半导体器件包括设置在衬底上的漂移层。漂移层具有非平面表面，所述非平面表面具有平行于半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征。此外，每一个重复特征具有比漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 漂移层 半导体器件 非平面表面 沟道 金属氧化物半导体 掺杂剂 重复 衬底 平行 外围 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：漂移层，被设置在衬底上，其中所述漂移层包括非平面表面，所述非平面表面包括平行于所述半导体器件的沟道的长度而定向的多个重复特征，并且其中，所述多个重复特征中的每一个特征具有比所述漂移层的剩余部分高的掺杂剂浓度；其中，利用所述半导体器件的尺寸中的至少一个形成所述多个重复特征中至少一个特征的深度，以提供低导通状态电阻并且维持合适的阻塞能力，所述半导体器件的尺寸包括：所述半导体器件的轮廓的幅度，所述半导体器件的轮廓的间距，所述半导体器件的轮廓的角度，所述漂移层的厚度。
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