[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种低温多晶硅TFT阵列基板及其制备方法、显示装置，该制备方法包括利用台阶式光刻胶工艺，通过一次光刻工艺在基板上同时形成多晶硅有源层和多晶硅存储电容下极板；在多晶硅有源层和多晶硅存储电容下极板上形成栅绝缘层；在栅绝缘层上形成金属层，刻蚀该金属层形成栅极及与栅极相连的栅线，源电极、漏电极及与源漏电极相连的数据线；依次形成钝化层、光刻胶层和像素电极层，对所述钝化层、光刻胶层和像素电极层进行构图工艺处理，通过一次光刻工艺形成层间绝缘层过孔和像素电极的图案；在像素电极上形成像素定义层。利用本发明，减少了低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的光刻工艺次数，提升了工艺良率和降低了工艺成本。

主权项

一种制备低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的方法，其特征在于，包括：步骤10：利用台阶式光刻胶工艺，通过一次光刻工艺在基板上同时形成多晶硅有源层和多晶硅存储电容下极板；步骤20：在所述多晶硅有源层和多晶硅存储电容下极板上形成栅绝缘层；步骤30：在所述栅绝缘层上形成金属层，刻蚀该金属层形成栅极及与栅极相连的栅线，源电极、漏电极及与源漏电极相连的数据线，以及多晶硅存储电容上极板；步骤40：在所述刻蚀后的金属层上形成钝化层、光刻胶层和像素电极层，利用台阶式掩膜工艺和剥离技术，对所述钝化层、光刻胶层和像素电极层进行构图工艺处理，通过一次光刻工艺形成钝化层过孔和像素电极的图案，其中钝化层过孔用以实现有源层与源电极的连接以及漏电极与像素电极的连接；步骤50：在所述像素电极上形成像素定义层，完成低温多晶硅薄膜场效应晶体管阵列基板的制备。