[发明专利]非挥发性的光学记忆单元

摘要

本发明公开了一种非挥发性的光学记忆单元。遂穿层、电荷存储层、阻挡层和控制栅层依次生长于光波导上，还包括用于增大光波的传播常数调制范围的石墨烯层；石墨烯层放置于遂穿层和光波导之间；或放置于遂穿层和电荷存储层构成的电容之间或者电荷存储层和控制栅层构成的电容之间；或代替控制栅层；或代替电荷存储层。本发明适用于非挥发性光学器件，由于浮栅结构的非挥发性存储特性和石墨烯材料的超强电光效应，施加较小电压就可较大改变光学器件内传输模式的有效折射率，从而实现对光波的非挥发调控；用于集成光学，不需要长期对光学器件供电就可使其保持工作状态而减小功耗；可采用普通SOI硅片，具有良好CMOS工艺兼容性，实现大规模集成。

主权项

一种非挥发性的光学记忆单元，遂穿层（4）、电荷存储层（3）、阻挡层（2）和控制栅层（1）依次生长于光波导（5）上，其特征在于：还包括用于增大传输模式的有效折射率调制范围的石墨烯层（9）；所述的石墨烯层（9）放置于遂穿层（4）和光波导（5）之间作为导电沟道；或者放置于遂穿层（4）和电荷存储层（3）构成的电容之间或者电荷存储层（3）和控制栅层（1）构成的电容之间；或者代替控制栅层（1）；或者代替电荷存储层（3）。