[发明专利]记忆元件的制造方法

摘要

本发明是有关于一种记忆元件的制造方法，包括在第一区与第二区的基底上形成堆叠层,堆叠层包括储存层、第一导体层以及第一罩幕层。将堆叠层图案化，以形成多个第一图案化的堆叠层。第一图案化的堆叠层沿着第一方向延伸，从第一区延伸到第二区。每一第一图案化的堆叠层两侧分别具有开口。在基底上形成填充层，填充层填入开口中。在基底的第一区上形成第二罩幕层，第二罩幕层未覆盖第二区的填充层。以第二罩幕层以及填充层为罩幕，移除第二区的第一图案化的堆叠层以及部分基底，以在第二区的基底中形成多个沟渠。

主权项

一种记忆元件的制造方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一基底，该基底具有一第一区以及一第二区；在该第一区与该第二区的该基底上形成一堆叠层，该堆叠层包括一储存层、一第一导体层以及一第一罩幕层；图案化该堆叠层，以形成多个第一图案化的堆叠层，该些第一图案化的堆叠层沿着一第一方向延伸，从该第一区延伸到该第二区，每一第一图案化的堆叠层两侧分别具有一开口；在该基底上形成一填充层，该填充层填入该些开口中；在该基底的该第一区上形成一第二罩幕层，该第二罩幕层未覆盖该第二区的该填充层；以及以该填充层为罩幕，移除该第二区内的该些第一图案化的堆叠层以及部分该基底，以在该第二区的该基底中形成多个沟渠。