[发明专利]GaN基LED外延结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201410299430.8 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104332539B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 曹永革;刘著光;邓种华;陈剑;李军廷;费斌杰;郭旺;唐飞;黄秋凤;袁轩一 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | H01L33/08 | 分类号： | H01L33/08;H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种GaN基LED外延结构及其制造方法。所述GaN基LED外延结构包括衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底。通过使用稀土元素掺杂Re3Al5O12衬底，使得LED外延结构的光电效率提高、并且降低了器件的发热量；由于LED外延层结构是以荧光材料为衬底，由该外延结构制备的LED芯片可实现直接的白光发射，从而简化了白光LED光源的制备工序，降低了生产成本；通过先外延、然后图形化衬底、再进行侧向生长GaN基外延结构降低了外延结构的缺陷密度。 | ||
| 搜索关键词： | gan led 外延 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基LED外延结构，包括：衬底；在所述衬底上外延生长的GaN基LED外延结构，其中所述衬底是含光致发光荧光材料的衬底，其中所述衬底包括稀土元素掺杂的石榴石系列Re3Al5O12衬底与Al2O3衬底键合之后得到的衬底。
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