[发明专利]一种新型电池片的制备方法无效
| 申请号： | 201410299409.8 | 申请日： | 2014-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN104103714A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 王成;蒋方丹;金浩;郭俊华;陈康平 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 | 代理人： | 吴关炳 |
| 地址： | 314416 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种新型电池片的制备方法，包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、镀膜步骤、丝网印刷步骤、烧结步骤和分检步骤，所述镀膜步骤分为两次，第一次在刻蚀并去除PSG步骤后镀一层氧化硅膜层，采用的反应气体为N2O和SiH4，气体流量分别为9000sccm和300sccm，所述氧化硅膜层的厚度为20～30nm，折射率为1.8；第二次在烧结步骤后镀氮化硅膜层，采用的反应气体为NH3和SiH4和N2，气体流量分别为7000sccm和700sccm，所述氮化硅膜层的厚度为70～80nm，折射率为2.0～2.1。本发明不仅提高了电池光电转化效率，而且使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 新型 电池 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种新型电池片的制备方法，包括清洗制绒步骤、扩散制结步骤、刻蚀并去除PSG步骤、镀膜步骤、丝网印刷步骤、烧结步骤和分检步骤，其特征在于：所述镀膜步骤分为两次，第一次在刻蚀并去除PSG步骤后镀一层氧化硅膜层，采用的反应气体为N2O和SiH4，气体流量分别为9000sccm和300sccm，所述氧化硅膜层的厚度为20～30nm，折射率为1.8；第二次在烧结步骤后镀氮化硅膜层，采用的反应气体为NH3和SiH4，气体流量分别为7000sccm 和700sccm，所述氮化硅膜层的厚度为70～80nm，折射率为2.0～2.1。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司，未经浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410299409.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：P型LED外延结构、生长方法
- 下一篇：摆片装置及其调整方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
