[发明专利]一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置在审
| 申请号： | 201410289560.3 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN104078423A | 公开（公告）日： | 2014-10-01 |
| 发明（设计）人： | 龙春平;梁逸南;刘政;田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;黄灿 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示装置，该阵列基板的制造方法包括：通过一次构图工艺在基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的图案；在形成有所述有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的基板上形成钝化层，并通过一次构图工艺在所述钝化层上形成过孔；通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成数据线、源漏极及像素电极的图案，所述漏极通过所述过孔与所述有源层接触。本发明减少了低温多晶硅阵列基板制造工艺过程中的构图工艺的次数，从而降低了工序复杂度，在缩短制造工艺时间的同时降低了工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阵列 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：通过一次构图工艺在基板上形成有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的图案；在形成有所述有源层、栅极绝缘层、栅极和栅线的基板上形成钝化层，并通过一次构图工艺在所述钝化层上形成过孔；通过一次构图工艺在形成有所述钝化层的基板上形成数据线、源漏极及像素电极的图案，所述漏极通过所述过孔与所述有源层接触。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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