[发明专利]只读存储器有效
| 申请号： | 201410289150.9 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105336370B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 權彞振;倪昊;郑晓;赵子鉴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/06 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 江舟;吴贵明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种只读存储器。其中，该只读存储器包括：单元阵列，包括字线、位线，与字线和位线连接的晶体管；充电电路，位于单元阵列外部，与电源端和位线连接，用于在位线方向上对单元阵列进行充电。本发明解决了现有技术中需要预充电所导致的读取ROM的速度较慢的技术问题，达到了提高读取ROM的速度、且没有增加芯片的尺寸和没有影响平均有效电流的技术效果。 | ||
| 搜索关键词： | 只读存储器 | ||
【主权项】：
1.一种只读存储器，其特征在于，包括：单元阵列，包括字线、位线，与所述字线和所述位线连接的晶体管；充电电路，位于所述单元阵列外部，与电源端和所述位线连接，用于在所述位线方向上对所述单元阵列进行充电；其中,所述充电电路包括：第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与接地端连接，所述第二晶体管的栅极与所述接地端或与控制输入端连接，所述第一晶体管的漏极与所述电源端连接，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极与所述位线连接；在所述第二晶体管的栅极与所述控制输入端连接的情况下，所述第一晶体管为一个，所述第二晶体管为多个，多个所述第二晶体管中的每一个的栅极均与所述控制输入端连接，所述第一晶体管的源极与多个所述第二晶体管中的每一个的漏极连接，多个所述第二晶体管中的每一个的源极与所述位线连接。
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