[发明专利]只读存储器

说明书

本发明公开了一种只读存储器。其中，该只读存储器包括：单元阵列，包括字线、位线，与字线和位线连接的晶体管；充电电路，位于单元阵列外部，与电源端和位线连接，用于在位线方向上对单元阵列进行充电。本发明解决了现有技术中需要预充电所导致的读取ROM的速度较慢的技术问题，达到了提高读取ROM的速度、且没有增加芯片的尺寸和没有影响平均有效电流的技术效果。

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体而言，涉及一种只读存储器(Read Only Memory,ROM)。

背景技术

目前，相关技术中的只读存储器(ROM)的结构如图1所示，包括晶体管102至晶体管110，并通过反相器112连接输出端DOUT。在对该ROM进行读操作时需要对位线进行预充电，这样使得在前几个周期上出现错误，此外，由于每次需要进行预充电，使得只读存储器在执行读操作时出现严重的延时，导致读取ROM的速度较慢。

针对上述的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

本发明实施例提供了一种只读存储器，以至少现有技术中需要预充电所导致的读取ROM的速度较慢的技术问题。

根据本发明实施例的一个方面，提供了一种只读存储器，包括：单元阵列，包括字线、位线，与上述字线和上述位线连接的晶体管；充电电路，位于上述单元阵列外部，与电源端和上述位线连接，用于在上述位线方向上对上述单元阵列进行充电。

可选地，上述充电电路包括：第一晶体管和第二晶体管，其中，上述第一晶体管的栅极与接地端连接，上述第二晶体管的栅极与上述接地端或与控制输入端连接，上述第一晶体管的漏极与上述电源端连接，上述第一晶体管的源极与上述第二晶体管的漏极连接，上述第二晶体管的源极与上述位线连接。

可选地，在上述第二晶体管的栅极与上述控制输入端连接的情况下，上述第一晶体管为一个，上述第二晶体管为多个，多个上述第二晶体管中的每一个的栅极均与上述控制输入端连接，上述第一晶体管的源极与多个上述第二晶体管中的每一个的漏极连接，多个上述第二晶体管中的每一个的源极与上述位线连接。

可选地，上述位线为N条，上述第二晶体管为N个，其中，上述多个上述第二晶体管中的每一个的源极与上述位线连接包括：N个上述第二晶体管中的每一个的源极分别连接N条上述位线中的一条。

可选地，上述第一晶体管为低压晶体管，上述第二晶体管为高压晶体管。

可选地，上述第一晶体管和上述第二晶体管均为长沟道型晶体管。

可选地，上述位线通过使能部件与输出端连接，其中，上述使能部件用于使能上述充电电路在上述位线方向上对上述单元阵列进行自动充电。

可选地，上述使能部件包括：第三晶体管，上述第三晶体管的漏极与上述电源端连接，上述第三晶体管的栅极与第一使能控制端连接，上述第三晶体管的源极与上述输出端和上述位线连接。

可选地，上述第三晶体管的源极与上述位线连接包括：

上述第三晶体管的源极与第四晶体管的漏极连接，上述第四晶体管的栅极与第二使能控制端连接，上述第四晶体管的源极与第五晶体管的漏极连接，上述第五晶体管的栅极与第三使能控制端连接，上述第五晶体管的源极与上述位线连接。

可选地，每一条上述位线与一个上述使能部件连接。

在本发明实施例中，采用位于单元阵列外部的充电电路在位线方向上对单元阵列进行充电，解决了现有技术中需要预充电所导致的读取ROM的速度较慢的技术问题，达到了提高读取ROM的速度、且没有增加芯片的尺寸和没有影响平均有效电流的技术效果。

附图说明