[发明专利]只读存储器

权利要求书

1.一种只读存储器，其特征在于，包括：

单元阵列，包括字线、位线，与所述字线和所述位线连接的晶体管；

充电电路，位于所述单元阵列外部，与电源端和所述位线连接，用于在所述位线方向上对所述单元阵列进行充电；

其中,所述充电电路包括：

第一晶体管和第二晶体管，其中，所述第一晶体管的栅极与接地端连接，所述第二晶体管的栅极与所述接地端或与控制输入端连接，所述第一晶体管的漏极与所述电源端连接，所述第一晶体管的源极与所述第二晶体管的漏极连接，所述第二晶体管的源极与所述位线连接；

在所述第二晶体管的栅极与所述控制输入端连接的情况下，所述第一晶体管为一个，所述第二晶体管为多个，多个所述第二晶体管中的每一个的栅极均与所述控制输入端连接，所述第一晶体管的源极与多个所述第二晶体管中的每一个的漏极连接，多个所述第二晶体管中的每一个的源极与所述位线连接。

2.根据权利要求1所述的只读存储器，其特征在于，所述位线为N条，所述第二晶体管为N个，其中，所述多个所述第二晶体管中的每一个的源极与所述位线连接包括：

N个所述第二晶体管中的每一个的源极分别连接N条所述位线中的一条。

3.根据权利要求1或2所述的只读存储器，其特征在于，所述第一晶体管为低压晶体管，所述第二晶体管为高压晶体管。

4.根据权利要求1或2所述的只读存储器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为长沟道型晶体管。

5.根据权利要求1或2所述的只读存储器，其特征在于，所述位线通过使能部件与输出端连接，其中，所述使能部件用于使能所述充电电路在所述位线方向上对所述单元阵列进行自动充电。

6.根据权利要求5所述的只读存储器，其特征在于，所述使能部件包括：

第三晶体管，所述第三晶体管的漏极与所述电源端连接，所述第三晶体管的栅极与第一使能控制端连接，所述第三晶体管的源极与所述输出端和所述位线连接。

7.根据权利要求6所述的只读存储器，其特征在于，所述第三晶体管的源极与所述位线连接包括：

所述第三晶体管的源极与第四晶体管的漏极连接，所述第四晶体管的栅极与第二使能控制端连接，所述第四晶体管的源极与第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的栅极与第三使能控制端连接，所述第五晶体管的源极与所述位线连接。

8.根据权利要求5所述的只读存储器，其特征在于，每一条所述位线与一个所述使能部件连接。