[发明专利]一种反应腔有效
申请号: | 201410288563.5 | 申请日: | 2014-06-25 |
公开(公告)号: | CN105296957B | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 袁福顺 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/18 | 分类号: | C23C16/18;C23C16/46 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种反应腔,所述反应腔包括腔室主体,所述反应腔还包括支撑筒和至少一个托盘,所述支撑筒设置在所述腔室主体内,所述托盘设置在所述支撑筒的侧壁的外侧,所述托盘能够用于放置基片,所述支撑筒和所述托盘为导体,且所述支撑筒与所述托盘之间绝缘且导热。本发明能够使得MOCVD工艺中托盘对基片加热时的温度场更加均匀,从而能够克服温度场不均导致的基片上的沉积薄膜不均匀的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 反应 | ||
【主权项】:
1.一种反应腔,所述反应腔包括腔室主体,其特征在于,所述反应腔还包括支撑筒和至少一个托盘,所述支撑筒设置在所述腔室主体内,所述托盘设置在所述支撑筒的侧壁的外侧,所述托盘能够用于放置基片,所述支撑筒和所述托盘为导体,且所述支撑筒与所述托盘之间绝缘且导热,所述支撑筒与所述托盘通过感应加热的方式进行加热。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
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