[发明专利]衬底结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201410287674.4 | 申请日： | 2014-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN105244367A | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | 陈建桦;李德章;谢盛祺 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/02 | 分类号： | H01L29/02;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种衬底结构，其包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面。所述绝缘衬底包括从所述第一表面形成到所述绝缘衬底中的第一沟槽，所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成。所述衬底结构包括第一导电材料，至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽中，其中所述第一导电材料具有第一表面，所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种衬底结构，其包括：绝缘衬底，所述绝缘衬底具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，所述绝缘衬底具有从所述第一表面形成到所述第二表面中的第一沟槽，所述第一沟槽由第一侧壁及第一底部形成；以及第一导电材料，至少部分所述第一导电材料位于所述第一沟槽内，其中所述第一导电材料具有第一表面，所述第一表面未接触所述第一底部及所述第一侧壁。
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