[发明专利]一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路及选通方法有效
| 申请号： | 201410281186.2 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104051009B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/26;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于存储器技术领域，公开了一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，包括行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器；所述第二数据选择器连接控制信号；所述控制信号包括写使能信号和读使能信号，用于选择存储器的工作模式，即读出或者写入；所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连，用于数据的读出或者写入；其中，所述行译码器接收外部行选通地址信号，进行地址译码，并发送给RRAM的存储阵列，选通一行存储单元；所述列译码器接收外部列选通地址信号，进行地址译码，并发送给所述第一数据选择器，选通多列存储单元。本发明通过同时选通多个存储单元，提升存储单元的读写速度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电阻 转变 随机 存储器 rram 通电 方法 | ||
【主权项】：
一种电阻转变随机存储器RRAM的选通电路，其特征在于，包括：行译码器、列译码器、第一数据选择器以及第二数据选择器；所述第二数据选择器连接控制信号；所述控制信号包括：写使能信号和读使能信号，用于选择存储器的工作模式，即读出或者写入；所述第二数据选择器分别与所述第一数据选择器以及所述RRAM的外围电路相连，用于数据的读出或者写入；其中，所述行译码器接收外部行选通地址信号，进行地址译码，并发送给RRAM的存储阵列，选通一行存储单元；所述列译码器接收外部列选通地址信号，进行地址译码，并发送给所述第一数据选择器，选通多列存储单元。
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