[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410281040.8 | 申请日： | 2014-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN104022151B | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 裴轶;邓光敏 | 申请（专利权）人： | 苏州捷芯威半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙)11371 | 代理人： | 吴开磊 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件从下到上依次包括衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的隔离层；位于所述隔离层上的钝化层；与所述半导体层接触的源极和漏极，以及位于源极和漏极之间的栅极；其中，所述栅极和漏极之间在靠近漏极一侧的钝化层上设有若干刻蚀所述钝化层形成的凹槽。本发明采用凹槽结构以改善半导体器件的电流崩塌，同时降低漏电。凹槽结构位于栅漏之间电流崩塌不敏感的区域。并对凹槽进行表面处理以减小漏电流，处理方法包括表面处理、沉积绝缘层等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件从下到上依次包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层；位于所述半导体层上的隔离层；位于所述隔离层上的钝化层；与所述半导体层接触的源极和漏极，以及位于源极和漏极之间的栅极；其中，所述栅极和漏极之间在靠近漏极一侧的钝化层上设有若干刻蚀所述钝化层形成的凹槽；所述凹槽深度大于钝化层的厚度且小于或等于钝化层与隔离层厚度的和，其中，凹槽与漏极间的距离小于凹槽与栅极间的距离，所述钝化层和凹槽上设有绝缘介质层。
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