[发明专利]一种仿生双面受光太阳能电池的制作工艺有效
申请号: | 201410278259.2 | 申请日: | 2014-06-20 |
公开(公告)号: | CN104051575A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
发明(设计)人: | 孟祥海;钱金梁;孙广印;陈斌;王步峰 | 申请(专利权)人: | 润峰电力有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 272000 山东*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 一种仿生双面受光晶硅太阳电池的制作工艺包括制绒,扩散,背面刻蚀,原子层沉积氧化铝,通氧退火,生长氮化硅,激光开膜,印刷,烧结等9个工序,原子层沉积的氧化铝薄膜用于钝化电池背面,热氧生成的氧化硅用于钝化电池正面,退火工艺同时完成了氧化铝薄膜的再构,正表面氧化层的形成以及发射结的进一步推进,背面采用铝栅线印刷代替传统的铝背场工艺,不仅增加了氧化铝的场钝化效果,提高了开路电压,而且背面叠层膜增加了长波光子在背面的反射,从而增加了晶硅电池的长波响应,另外,背面仿生树叶栅线结构有利于背面散射光子的收集,为双玻组件提供了优异的电池结构,同时美化了幕墙的室内环境。 | ||
搜索关键词: | 一种 仿生 双面 太阳能电池 制作 工艺 | ||
【主权项】:
一种仿生双面受光太阳能电池的制作工艺,采用以下顺序工艺步骤:步骤一,将晶硅硅片表面进行制绒,降低表面反射率;步骤二,将制绒后硅片进行通磷源和推进,本步骤只进行通源工序,不进行推进工序;步骤三,将扩散后硅片进行湿法刻蚀,去除背面N+层;步骤四,将湿法刻蚀后的硅片进行原子层沉积,使硅片背面生长一层氧化铝薄膜;步骤五,将原子层沉积后的硅片在高温管内进行通氧退火工艺,将氧化铝薄膜中的残留甲基去除,同时热氧化发射极的表面,同时完成推进工序,在硅片表面形成氧化硅钝化层;步骤六,将原子层沉积后的硅片进行板式等离子增强化学气相沉积,在双面生长氮化硅薄膜;步骤七,将生长完氮化硅的硅片进行激光划线,在硅片背面按照仿生图像将表面的氮化硅去除;步骤八,将激光加工后的硅片进行印刷,正面采用银柵线,背面采用铝栅线覆盖激光划线;步骤九,将印刷后的硅片进行烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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