[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法在审
| 申请号： | 201410277297.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104022079A | 公开（公告）日： | 2014-09-03 |
| 发明（设计）人： | 李文辉;曾志远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法，在同一道光刻制程中同时对栅极绝缘层进行过孔处理及图案化刻蚀阻挡层，即栅绝缘层成膜后，先不进行光刻制程，直接线制作氧化物半导体图案，然后在刻蚀阻挡层成膜后，栅绝缘层过孔与刻蚀阻挡层图案化合并为同一道光刻制程，与现有的薄膜晶体管基板的制造方法相比，可减少一道光刻制程，提高了制备效率。同时通过在透明导电层上开口，提高了开口率。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、提供基板(20)；步骤2、在所述基板(20)上沉积第一金属层，并图案化该第一金属层，以形成开关晶体管和驱动晶体管的栅极(21)；步骤3、在所述栅极(21)与基板(20)上沉积栅极绝缘层(22)；步骤4、在所述栅极绝缘层(22)上沉积氧化物半导体层(23)，并图案化所述氧化物半导体层(23)；步骤5、在所述栅极绝缘层(22)和氧化物半导体层(23)上沉积刻蚀阻挡层(24)；步骤6、采用一道光刻制程对栅极绝缘层(22)进行过孔处理并图案化刻蚀阻挡层(24)；步骤7、在所述刻蚀阻挡层(24)上形成源/漏极(25)；步骤8、在所述刻蚀阻挡层(24)及源/漏极(25)上依次形成保护层(26)、平坦层(27)；步骤9、在所述平坦层(27)及露出的部分源/漏极(25)上形成透明导电层(28)，并图案化该透明导电层(28)；步骤10、在所述平坦层(27)及透明导电层(28)上依次形成像素定义层(29)及光阻间隙物(30)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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