[发明专利]显示装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201410277138.6 | 申请日： | 2014-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN104280948A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 蔡景泰;李善旭;李忠爀;林泰佑;赵敦瓒 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1343 | 分类号： | G02F1/1343;G02F1/1333 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 王占杰;谭昌驰 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种显示装置及其制造方法。所述显示装置包括：基板，包括多个像素区；薄膜晶体管，设置在基板上；第一绝缘层，设置在薄膜晶体管上；像素电极，与薄膜晶体管连接并且设置在第一绝缘层上；公共电极，设置在像素电极上并且通过微腔与像素电极分隔；第二绝缘层，设置在公共电极上；顶层，设置在第二绝缘层上，顶层的厚度是大约4μm至大约50μm；注入孔，穿过公共电极、第二绝缘层和顶层，注入孔暴露微腔的一部分；液晶层，填充微腔；覆盖件，在顶层上并且延伸到注入孔中，覆盖件密封微腔。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种显示装置，所述显示装置包括：基板，包括多个像素区；薄膜晶体管，设置在基板上；第一绝缘层，设置在薄膜晶体管上；像素电极，与薄膜晶体管连接并且设置在第一绝缘层上；公共电极，设置在像素电极上并且通过微腔与像素电极分隔；第二绝缘层，设置在公共电极上；顶层，设置在第二绝缘层上，顶层的厚度是4μm至50μm；注入孔，穿过公共电极、第二绝缘层和顶层，注入孔暴露微腔的一部分；液晶层，填充微腔；以及覆盖件，在顶层上并且延伸到注入孔中，覆盖件密封微腔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410277138.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
