[发明专利]硅光电倍增探测器

摘要

本发明涉及硅光电倍增探测器，特征是利用新结构硅光电倍增探测器表面电阻层的分流效应来确定光信号的位置，探测器表面有2个或4个独立的电极。当光子入射到探测器中工作于击穿电压之上的APD单元时，雪崩倍增电流经表面均匀连续的电阻层流向表面引出电极，光电流被分为二份(对应表面2个独立引出电极)或四份(对应表面4个独立引出电极)，引出电极电流的大小与入射光子位置到引出电极之间的电阻大小有关，该电阻又与入射光子位置到引出电极之间的距离有关。通过同时测量各引出电极电流的大小，结合理论计算，便可以得到光子的入射位置信息。本发明具有灵敏度高、分辨率高、电路配置简单、响应速度快的优点。

主权项

一种硅光电倍增探测器，由10至10万个雪崩光电二极管APD单元集成在同一个硅外延片上组成，正面电极位于器件的表面，背面电极在硅衬底一侧，在横向方向，APD单元之间由所围绕的PN结的较深耗尽区所隔离，在纵向方向，每个APD单元都串联一个雪崩淬灭电阻，其特征是：雪崩淬灭电阻由所述硅外延片外延层制备，所有APD单元在器件表面由均匀连续的重掺杂硅电阻层连接，所述重掺杂硅电阻层用作位置灵敏探测时的分流电阻，所述正面电极有4个，分别位于探测器的四条边上，即呈四边形布局，每个正面电极独立输出信号。