[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201410274116.4 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN104112778B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李田生;谢振宇 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、显示装置，所述薄膜晶体管的制造方法，包括以下步骤采用干法刻蚀方法对有源层进行两步刻蚀第一步刻蚀，使部分有源层与所述源漏电极层一致；第二步刻蚀，对光刻胶去除区的有源层进行刻蚀，形成有源层残留；对光刻胶层灰化后，使光刻胶层与所述源漏电极层轮廓一致；再利用光刻胶图案作为掩模，对源漏电极层进行刻蚀形成包括源极、漏极的源漏电极层图案，且刻蚀掉源极和漏极之间区域的掺杂半导体层，同时刻蚀掉所述有源层残留。本发明能够减小甚至消除有源层残留，在薄膜晶体管布线精密化趋势下，会使薄膜晶体管负载减低，提升薄膜晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.形成有源层和源漏电极层；S2.在所述源漏电极层上涂覆正性光刻胶；利用灰阶掩模板或半阶掩模板对涂覆有光刻胶层的基板曝光、显影，形成包括光刻胶保留区、光刻胶半保留区和光刻胶去除区的光刻胶图案；S3.利用光刻胶图案作为掩模进行刻蚀，刻蚀掉光刻胶去除区内的源漏电极层；S4.采用干法刻蚀方法对有源层进行两步刻蚀：第一步刻蚀，使被光刻胶覆盖的源漏电极层正下方的有源层与所述源漏电极层轮廓一致；第二步刻蚀，对光刻胶去除区的有源层进行刻蚀，保证有源层纵向刻蚀轮廓，形成有源层残留；S5.光刻胶层灰化后，使光刻胶层与所述源漏电极层轮廓一致；再利用光刻胶图案作为掩模，对源漏电极层进行刻蚀形成包括源极、漏极的源漏电极层图案，且刻蚀掉源极和漏极之间区域的掺杂半导体层，同时刻蚀掉所述有源层残留。
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