[发明专利]一种消除晶圆氧化膜上微粒的方法及其氧化膜有效
| 申请号： | 201410274037.3 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105448705B | 公开（公告）日： | 2018-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴大强 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司32236 | 代理人： | 庞聪雅 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种消除晶圆氧化膜上微粒的方法及其氧化膜，其方法包括反应气体从气体喷头进入工艺腔体内，获得激活能形成等离子体，发生等离子体增强化学气相淀积并在晶圆表面淀积氧化膜，所述气体喷头与所述晶圆之间的间距为270mil～330mil。本发明通过研究发现，产品上存在的微粒(tiny particle)会有导致孔刻不通的风险，会导致产品优良率降低。本发明通过控制气体喷头与晶圆之间的间距(spacing)在合理范围内，可消除这种微粒(tiny particle)，提升了产品的优良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 消除 氧化 微粒 方法 及其 | ||
【主权项】：
一种消除晶圆氧化膜上微粒的方法，其特征在于：包括，反应气体从气体喷头进入工艺腔体内，获得激活能形成等离子体，发生等离子体增强化学气相淀积并在晶圆表面淀积氧化膜，所述气体喷头与所述晶圆之间的间距为270mil～330mil，所述微粒为介质抗反射层膜的氧化膜上的微粒。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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