[发明专利]一种同时改善STI和FG Poly填充孔洞工艺窗口的方法在审
| 申请号： | 201410273931.9 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105336696A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 殷冠华;陈广龙 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8247 | 分类号： | H01L21/8247;H01L21/66;H01L21/762;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种同时改善STI和FG Poly填充空洞工艺窗口的方法，首先涉及一闪存器件，然后采用有源区光刻工艺EM的方式，按由左向右的顺序定义出从小到大的有源区尺寸，调整隔离浅槽开口形貌和氮化硅阻挡厚度，并将调整后的结果与有源区尺寸进行组合，将组合的晶圆进行浮栅的平坦化工艺，然后对组合的晶圆表面进行湿法刻蚀，用扫描电镜观测和调试寻找最适合的STI和FG填充空洞工艺窗口。在平坦化工艺中采用化学机械研磨工艺，隔离浅槽的开口外貌呈锥形，通过调整隔离浅槽的开口形貌来调整STI填充空洞，通过调整氮化硅厚度来调整FG Poly填充空洞。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 同时 改善 sti fg poly 填充 孔洞 工艺 窗口 方法 | ||
【主权项】：
一种同时改善STI和FG Poly填充空洞工艺窗口的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1，设计闪存器件；步骤S2，采用有源区光刻工艺EM的方式，按顺序定义出从小到大的有源区尺寸；步骤S3，调整隔离浅槽开口形貌和氮化硅阻挡层厚度，并将调整后的结果与所述步骤S2中的有源区尺寸进行组合；步骤S4，将组合的晶圆进行浮栅的平坦化工艺，然后对所述组合的晶圆表面进行湿法刻蚀；步骤S5，用过扫描电镜观测和调试寻找最适合的STI和FG填充空洞工艺窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
