[发明专利]压力传感器的制备方法在审
| 申请号： | 201410272907.3 | 申请日： | 2014-06-18 |
| 公开（公告）号： | CN105439077A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 杨天伦;毛剑宏 | 申请（专利权）人： | 上海丽恒光微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01L1/14;G01L9/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区张江*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种压力传感器的制备方法，包含：提供半导体基底，所述半导体基底的表面形成有覆盖底部电极的牺牲层；在所述半导体基底上形成顶部电极，所述顶部电极具有压力传感区；在所述顶部电极上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述压力传感区；对所述顶部电极进行选择性刻蚀形成顶部电极开口；通过所述顶部电极开口去除所述牺牲层；在所述半导体基底、刻蚀停止层和顶部电极上形成介质层；刻蚀去除覆盖所述压力传感区的所述介质层，并去除所述牺牲层，以暴露出所述压力传感区。本发明的压力传感器的制备方法，能够避免或减少对顶部电极的损伤，并避免或降低对腔体的应力，从而提高器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种压力传感器的制备方法，包括：提供半导体基底，所述半导体基底中形成有底部电极，所述半导体基底的表面形成有覆盖所述底部电极的牺牲层；在所述半导体基底上形成顶部电极，所述顶部电极与所述底部电极通过所述牺牲层隔开，所述顶部电极具有压力传感区；在所述顶部电极上形成刻蚀停止层，所述刻蚀停止层覆盖所述压力传感区；对所述顶部电极进行选择性刻蚀形成顶部电极开口，所述顶部电极开口暴露出所述牺牲层；通过所述顶部电极开口去除所述牺牲层，在所述底部电极和顶部电极之间形成腔体；在所述半导体基底、刻蚀停止层和顶部电极上形成介质层；以及刻蚀去除覆盖所述压力传感区的所述介质层，并去除所述牺牲层，以暴露出所述压力传感区。
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