[发明专利]一种高边横向双扩散场效应晶体管

摘要

本发明公开了一种高边横向双扩散场效应晶体管，包括：P型衬底，N-外延层，P+埋层，P+对通隔离，场氧，P-top层，P-体区，P-体区接触P+，N+源电极，栅氧层，多晶硅栅电极，N+漏电极。所述P型衬底的上面是N-外延层。所述N-外延层的一侧设有P+埋层和P+对通隔离，用以隔离不同类型的器件。进一步，P-体区和P+对通隔离之间设有另一个P-体区，P-体区内设有体区接触P+。P-体区和P-体区之间设有P-top层。本发明源电极和衬底之间的雪崩击穿电压大大提高，即隔离性能有了很大的改进，满足了较高工作电压领域的应用。

主权项

一种高边横向双扩散场效应晶体管，它包括：P型衬底（201），N‑外延层（202），P+埋层（203），P+对通隔离（204），场氧（205），P‑top层（206），P‑体区（207）和（213），P‑体区接触P+（208、214），N+源电极（209），栅氧层（210），多晶硅栅电极（211），N+漏电极（212）；所述P型衬底（201）的上面是N‑外延层（202），所述N‑外延层（202）的一侧设有P+埋层（203）和P+对通隔离（204），用以隔离不同类型的器件，所述N‑外延层（202）的另一侧设有N+漏电极（212）和N+源电极（209），且N+源电极（209）位于N+漏电极（212）和P+对通隔离（204）之间，N+源电极（209）设置于P‑体区（207）之内，P‑体区（207）内还设有体区接触P+（208），N+漏电极（212）和N+源电极（209）之间设有P‑top层（206），P‑top层（206）上方设有场氧（205），P‑体区（207）和上述P‑top层（206）之间区域上方设有栅氧层（210），栅氧层（210）上方设有多晶硅栅电极（211），P‑体区（207）和P+对通隔离（204）之间还设有另一个P‑体区（213），P‑体区（213）内设有体区接触P+（214），P‑体区（213）和（207）之间设有另一P‑top层（206），P‑top层（206）上方设有场氧（205），场氧（205）上方设有多晶硅栅电极（211），P‑体区（213）和P+对通隔离（204）之间区域上方设有场氧（205）；其特征在于，P‑体区（207）和P+对通隔离（204）之间进一步设有另一个P‑体区（213），P‑体区（213）内设有体区接触P+（214），P‑体区（207）和P‑体区（213）之间进一步设有P‑top层（206）。