[发明专利]TFT阵列基板结构

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板结构，包括第一与第二栅极(11、13)、半导体层(20)、第一与第二源极(31、33)及第一与第二漏极(42、44)，第一栅极(11)与第一漏极(42)在空间上交叠设置形成第一交叠区域(D)，第二栅极(13)与第二漏极(44)在空间上交叠设置形成第二交叠区域(E)，第一栅极(11)对应第一交叠区域(D)具有第一边缘(113)，第二栅极(13)对应第二交叠区域(E)具有第二边缘(133)，第一边缘(113)与第一漏极(42)在空间上斜交，第二边缘(133)与第二漏极(44)在空间上斜交，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生同向变化。

主权项

一种TFT阵列基板结构，包括：第一与第二栅极(11、13)、设于第一与第二栅极(11、13)上方的半导体层(20)、设于半导体层(20)上的第一与第二源极(31、33)及设于半导体层(20)上的第一与第二漏极(42、44)，所述第一与第二栅极(11、13)电性连接，第一与第二源极(31、33)电性连接，所述第一栅极(11)与第一漏极(42)在空间上交叠设置形成第一交叠区域(D)，所述第二栅极(13)与第二漏极(44)在空间上交叠设置形成第二交叠区域(E)，所述第一栅极(11)对应第一交叠区域(D)具有第一边缘(113)，所述第二栅极(13)对应第二交叠区域(E)具有第二边缘(133)，其特征在于，所述第一边缘(113)与第一漏极(42)在空间上斜交，所述第二边缘(133)与第二漏极(44)在空间上斜交，从而，当第一、第二漏极(42、44)相对于第一、第二栅极(11、13)发生相对移动时，第一交叠区域(D)与第二交叠区域(E)的面积产生同向的变化；第一边缘(113)相对于第一漏极(42)的倾斜方向与第二边缘(133)相对于第二漏极(44)的倾斜方向相反；所述第一漏极(42)对应于第一交叠区域(D)的部分呈条形，第二漏极(44)对应于第二交叠区域(E)的部分呈条形，且两条形的朝向垂直；第一漏极(42)对应第一交叠区域(D)的宽度为W1，第二漏极(44)对应第二交叠区域(E)的宽度为W2，第一边缘(113)与第一漏极(42)形成的锐角夹角α1＝arccot(W2/W1)，第二边缘(133)与第二漏极(44)形成的锐角夹角α2＝arccot(W1/W2)；第一源极(31)呈开口朝上的U形，第二源极(33)呈开口朝右的U形，且第一源极(31)的右部分与第二源极(33)的左部分连接。