[发明专利]TFT阵列基板结构

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)阵列基板结构。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶显示面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。如图1所示，现有的液晶显示面板包括TFT阵列基板100、位于TFT阵列基板100上方并与之贴合设置的一彩膜基板(Color Filter，CF)300、设于阵列基板100与彩膜基板300之间的液晶层(Liquid Crystal Layer)500及密封胶框700，其工作原理是通过在TFT阵列基板100、彩膜基板300间施加驱动电压来控制液晶层500的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

就目前主流市场上的液晶显示面板而言，按照液晶分子排列方式的不同可分为三大类，分别是TN(扭曲向列)/STN(超级扭曲向列)、IPS(板内切换)/FFS(边缘切换)及VA(垂直配向)型。其中，VA(Vertical Alignment，垂直配向)型液晶显示器具有高对比度、宽视角、颜色表现好等优点。但由于VA型显示器采用的是垂直转动型的液晶，大视角下会存在色偏现象，针对该现象，目前的设计是将子像素区域划分为主(main)和次(sub)两个区域来显示，主区域和次区域液晶两侧所加电压不同使主区域和次区域液晶偏转角不同，从而解决色偏问题。

如图2所示，为一现有的用于VA型液晶显示器的TFT阵列基板结构示意图，该TFT阵列基板结构包括第一与第二栅极101、103、设于第一与第二栅极101、103上方的半导体层200、设于半导体层200上的第一与第二源极301、303及设于半导体层200上的第一与第二漏极402、404，所述第一与第二栅极101、103电性连接，第一与第二源极301、303电性连接，所述第一栅极101与第一漏极402在空间上交叠设置，形成第一交叠区域A，所述第一栅极101对应第一交叠区域A具有第一边缘105，其与第一漏极402在空间上垂直相交。所述第二栅极103与第二漏极404在空间上交叠设置，形成第二交叠区域B，所述第二栅极103对应第二交叠区域B具有第二边缘107，其与第二漏极404在空间上垂直相交。第一漏极402对应第一交叠区域A的部分与第二漏极404对应第二交叠区域B的部分分别呈条形，且两条形的朝向垂直。第一源极301电性连接于数据线；第一栅极101电性连接于栅极扫描线；第一、第二漏极402、404分别电性连接于主、次区域的像素电极。第一交叠区域A产生第一寄生电容及C_gs1，第二交叠区域B产生第二寄生电容C_gs2。以第一漏极402的条形朝向为竖直方向，当第一、第二漏极402、404相对于第一、第二栅极101、103在竖直方向上相对移动时，第一交叠区域A的面积发生变化，而第二交叠区域B的面积保持不变，从而导致第一寄生电容C_gs1发生变化而第二寄生电容C_gs2不变。

根据溃通电压公式：

馈通电压

其中：C_1c为液晶盒产生的电容，C_s为存储电容，C_gs为栅极与漏极间的寄生电容的容值，V_p-p为栅极改变的电压。

可知：第一馈通电压ΔV1变化而第二馈通电压ΔV2不变，二者的压差相应发生变化，从而引起主、次区域之间的液晶分子的偏转参考电压VCOM变化。

同理，当第一、第二漏极402、404相对于第一、第二栅极101、103在水平方向上相对移动时，第一交叠区域A的面积不变，而第二交叠区域B的面积发生变化，使得第一寄生电容C_gs1不变而第二寄生电容C_gs2变化，进而引起第一馈通电压ΔV1不变、第二馈通电压ΔV2变化，最终引起VCOM变化。

VCOM不稳定会引发液晶显示面板产生闪烁、残影等问题，影响显示品质，显然需要对现有的TFT阵列基板结构做进一步改进。

发明内容