[发明专利]双向ESD二极管结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201410271089.5 | 申请日： | 2014-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN104253162A | 公开（公告）日： | 2014-12-31 |
| 发明（设计）人： | 谷大须贺;山下秋彦;草间本明;高桥坚太郎 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请案涉及一种双向ESD二极管结构及其形成方法。一种双向静电放电二极管结构(200)消耗实质上较少的硅基板面且通过利用p-外延层(214)而提供超低电容，所述p-外延层(214)触及n+下部外延层(212)及n+上部外延层(216)且位于其之间。金属触点(224)触及p+层(218)且位于其上方，所述p+层(218)触及所述n+上部外延层(216)且位于其上方。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 esd 二极管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种二极管结构，其包括：第一导电性类型的衬底区域，所述衬底区域具有一掺杂剂浓度；第二导电性类型的第一半导体层，所述第一半导体层具有一掺杂剂浓度，并触及所述衬底区域且位于其上方；所述第一导电性类型的第二半导体层，所述第二半导体层触及所述第一半导体层且位于其上方，所述第二半导体层具有实质上小于所述衬底区域的所述掺杂剂浓度的掺杂剂浓度；所述第二导电性类型的第三半导体层，所述第三半导体层触及所述第二半导体层且位于其上方；及所述第一导电性类型的第四半导体层，所述第四半导体触及所述第三半导体层且位于其上方。
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