[发明专利]有源区键合兼容高电流的结构

摘要

本发明涉及一种有源区键合兼容高电流的结构。在一个实施例中，该集成电路包括：衬底；顶部导电层；一层或多层中间导电层；绝缘材料层和器件。顶部导电层具有至少一个键合焊盘和相对坚硬的材料亚层。一层或多层中间导电层形成于顶部导电层和衬底之间。绝缘材料层分离导电层。而且，绝缘层中的一层相对较硬且位于顶部导电层与最接近顶部导电层的中间导电层之间。器件形成在集成电路中。另外，至少最接近于顶部导电层的中间导电层适合于键合焊盘下的选择器件的实用互连。

主权项

一种形成半导体结构的方法，该方法包括：在衬底上形成一个或多个中间金属层；形成一个或多个绝缘层，所述一个或多个绝缘层中的每一个绝缘层形成在所述一个或多个中间金属层中的一个中间金属层上；在所述一个或多个绝缘层上形成顶部金属层，其中，所述一个或多个绝缘层将所述一个或多个中间金属层和所述顶部金属层彼此分离；在所述顶部金属层上形成钝化层；以及对所述钝化层进行构图以暴露所述顶部金属层的一部分，所述顶部金属层的暴露部分包括键合焊盘；其中，所述一个或多个绝缘层中邻近所述顶部金属层的绝缘层与其余的绝缘层和所述顶部金属层相比相对较厚。