[发明专利]MRAM器件的形成方法有效
| 申请号： | 201410260647.8 | 申请日： | 2014-06-12 |
| 公开（公告）号： | CN105336849B | 公开（公告）日： | 2018-01-09 |
| 发明（设计）人： | 湛兴龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 张振军 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种MRAM器件的形成方法，包括提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有磁隧道结层；在所述磁隧道结层上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔；在所述通孔的内侧壁上形成侧墙；对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀，以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层；去除所述牺牲层，以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀，去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层，所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。本发明能够避免刻蚀负载效应导致的短路等问题，还具有工艺流程简单的优点。 | ||
| 搜索关键词： | mram 器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MRAM器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，该半导体衬底上形成有磁隧道结层；在所述磁隧道结层上形成牺牲层；刻蚀所述牺牲层以在其中形成通孔；在所述通孔的内侧壁上形成侧墙；对所述通孔底部的磁隧道结层进行第一步刻蚀，以预先去除所述通孔底部的部分磁隧道结层；去除所述牺牲层，以所述侧墙为掩膜对所述磁隧道结层进行第二步刻蚀，去除所述侧墙下方以外的磁隧道结层，所述侧墙下方的磁隧道结层形成环状的磁隧道结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410260647.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
