[发明专利]一种沟槽型MOS晶体管的制造方法

摘要

本发明属于半导体功率器件制造技术领域，特别是涉及一种沟槽型MOS晶体管的制造方法。本发明是在半导体衬底内形成沟道掺杂区和U形凹槽后，通过倾斜的离子注入方法在暴露出的沟道掺杂区表面进行氮离子掺杂，然后再进行栅氧化层的氧化和多晶硅栅极的淀积，最后形成与源区和沟道掺杂区接触的源极金属。本发明具有工艺过程简单可靠、易于控制等优点，可降低沟槽型MOS晶体管器件的生产成本和提高其成品率。

主权项

一种沟槽型MOS晶体管的制造方法，包括以下步骤：（1）在第一种掺杂类型的半导体衬底内进行沟道离子注入，形成第二种掺杂类型的沟道掺杂区；（2）在所述半导体衬底的表面形成硬掩膜层；（3）采用光刻和刻蚀方法，在所述半导体衬底内形成U形凹槽；其特征在于还包括：（4）通过倾斜的离子注入方法在暴露出的沟道掺杂区表面进行氮离子掺杂；（5）在所述U形凹槽的表面氧化形成第一层绝缘薄膜；（6）淀积第一层导电薄膜并对该第一层导电薄膜进行刻蚀，刻蚀后的第一层导电薄膜低于所述半导体衬底的表面；（7）淀积第二层绝缘薄膜并对该第二层绝缘薄膜进行刻蚀，刻蚀后的第二层绝缘薄膜低于所述硬掩膜层的表面；（8）刻蚀掉硬掩膜层；（9）进行离子注入，在所述半导体衬底内所述沟道掺杂区的顶部形成第一种掺杂类型的源区；（10）进行光刻，暴露出部分所述第一种掺杂类型的源区；（11）以光刻胶为掩模对暴露出的部分所述第一种掺杂类型的源区进行刻蚀，之后沿着该暴露处进行第二种掺杂类型的离子注入，在所述半导体衬底内形成与外部金属接触的沟道掺杂区的高掺杂浓度的掺杂区；（12）去除光刻胶后淀积金属层，形成与所述源区和沟道掺杂区接触的源极金属。