[发明专利]一种立方氢氧化铟薄膜及其制备方法

摘要

一种立方氢氧化铟薄膜，其是由氮化铟基体和生长于氮化铟表面的立方氢氧化铟层组成，该立方氢氧化铟层由形貌为立方体的纳米氢氧化铟晶体组成。该纳米氢氧化铟晶体的平均尺寸为150nm。上述立方氢氧化铟薄膜的制备方法：于空气中，将氮化铟薄膜于200℃-300℃加热15-30分钟后，冷却至室温；将摩尔比为1:1的乙酸铵和六次甲基四胺溶于水，制得混合溶液；将步骤①所得的氮化铟基体片浸入步骤②所得的混合溶液中，于≤90℃温度反应至少3-5小时；反应结束取出步骤③所得基体片并用水洗涤，于70-80℃烘干。本发明制备方法简单、反应温度低并且制备出的产品为性能优越的晶体立方氢氧化铟薄膜。

主权项

一种立方氢氧化铟薄膜，其特征在于：所述的立方氢氧化铟薄膜是由氮化铟薄膜长于氮化铟表面的立方氢氧化铟层组成，该立方氢氧化铟层由形貌为立方体的纳米氢氧化铟晶体组成。