[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201410235356.3 | 申请日: | 2014-05-29 |
公开(公告)号: | CN104009045A | 公开(公告)日: | 2014-08-27 |
发明(设计)人: | 永山和由 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及显示技术领域,公开了一种阵列基板,包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及两者交叉形成的若干像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管,在所述薄膜晶体管的有源层与源极重叠的区域,所述有源层上至少形成有两个超出薄膜晶体管栅极的第一凸出部,所述两个第一凸出部分别位于有源层的平行于所述栅线的中心线的两侧,且两个第一凸出部沿栅线方向上的宽度相同。本发明的阵列基板在有源层上至少形成有两个超出栅极的第一凸出部,即使有源层在制作时发生错位,也能保证栅源电容尽量与预先设计的电容大小保持不变,从而使得实际加载在公共电极上的电压Vcom更加精准,即与预先设计要达到的Vcom尽量相等,误差尽量小。 | ||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括形成在衬底基板上的栅线、数据线及两者交叉形成的若干像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管,其特征在于,在所述薄膜晶体管的有源层与源极重叠的区域,所述有源层上至少形成有两个超出薄膜晶体管栅极的第一凸出部,所述两个第一凸出部分别位于有源层的平行于所述栅线的中心线的两侧,且两个第一凸出部沿栅线方向上的宽度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的