[发明专利]面电阻型宽带超材料吸收器在审
申请号: | 201410235215.1 | 申请日: | 2014-05-22 |
公开(公告)号: | CN105097052A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 赵晓鹏;王兵;顾帅 | 申请(专利权)人: | 西北工业大学 |
主分类号: | G12B17/02 | 分类号: | G12B17/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710129 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明涉及一种微波吸收器,特别涉及面电阻型宽带超材料吸收器。这种吸波器具有三层结构,底层为铜板,中间层为PMI泡沫(聚甲基丙烯酰亚胺)介质,上层是刻蚀各向同性树枝结构的ITO薄膜。整个全向树枝单元包括八个由一级和二级分支组成的四边形开口环以及八个由二级分支构成的V形,所有的开口环单元以准周期形式分布。一级、二级树枝长度分别为a、b,树枝宽度为w,树枝间夹角为θ=45°。当有一种树枝结构时在7.80-16.90GHz频段范围内能达到最低80%的吸收率,吸收相对带宽73.68%。当有两种树枝结构时在6.15-17.00GHz频段范围内能达到最低80%的吸收率,吸收相对带宽93.74%。本发明的吸波器可以实现各向同性和宽频带的高性能吸收,具有结构简单轻巧、成本低、制备方便等优点。 | ||
搜索关键词: | 电阻 宽带 材料 吸收 | ||
【主权项】:
面电阻型宽带超材料吸收器,该吸收器组成包括金属铜板、PMI泡沫(聚甲基丙烯酰亚胺)介质、刻有树枝图案的ITO导电薄膜;其主要特征是:在ITO导电薄膜上刻蚀一种或几种树枝单元组成的阵列,通过改变树枝单元的几何尺寸,使该超材料吸收器工作在X和Ku波段。
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