[发明专利]面电阻型宽带超材料吸收器

权利要求书

1.面电阻型宽带超材料吸收器，该吸收器组成包括金属铜板、PMI泡沫(聚甲基丙烯酰亚胺)介质、刻有树枝图案的ITO导电薄膜；其主要特征是：在ITO导电薄膜上刻蚀一种或几种树枝单元组成的阵列，通过改变树枝单元的几何尺寸，使该超材料吸收器工作在X和Ku波段。

2.如权利要求1所述面电阻型宽带超材料吸波器，其特征是当吸波器最小周期结构单元由一种尺寸大小的树枝组成，一级树枝结构长度在1.5mm至2.5mm之间，二级树枝结构长度在2.0mm至3.0mm之间，树枝结构宽度为0.8mm至1.6mm之间，最小结构单元边长为8mm至12mm，吸收率超过80％的频带在7.80至16.90GHz之间调节；当吸波器最小周期结构单元由两种尺寸大小的树枝组成时，取树枝一级树枝结构长度在5mm至10mm之间，二级树枝结构长度为6.5至12mm，树枝结构宽度为2.0mm至7mm，最小结构单元边长为25mm至50mm，吸收率超过80％的频带在6.15至17.00GHz之间调节。

3.如权利要求1所述的面电阻型宽带超材料吸波器，其特征是在ITO导电薄膜表层用激光刻蚀出面电阻型树枝，ITO导电薄膜面电阻为40Ω。

4.如权利要求1所述的面电阻型宽带超材料吸波器，其特征是中间介质基板为PMI泡沫(聚甲基丙烯酰亚胺)，其厚度为3mm，介电常数为1.2。