[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410232888.1 | 申请日： | 2014-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104241367A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 李惠兰;姜尚范;金宰中;朴文圭;宋在烈;李浚熙;河龙湖;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，其包括衬底和衬底上的第一和第二栅电极。第一栅电极包括第一栅极绝缘膜和第一功能膜，第一栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸并远离衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽，第一功能膜填充第一沟槽。第二栅电极包括第二栅极绝缘膜、第二功能膜和金属区，第二栅极绝缘膜具有位于衬底上的底部和从底部延伸的侧壁部分，从而限定具有与第一宽度不同的第二宽度的第二沟槽，第二功能膜适形于第二沟槽中的第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽，金属区在第三沟槽中。第一宽度可小于第二宽度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一栅电极，包括：第一栅极绝缘膜，其具有位于所述衬底上的底部和从所述底部延伸出并远离所述衬底的侧壁部分，从而限定具有第一宽度的第一沟槽；以及第一功能膜，其填充所述第一沟槽；以及第二栅电极，包括：第二栅极绝缘膜，其具有位于所述衬底上的底部和从所述底部延伸出的侧壁部分，从而限定具有第二宽度的第二沟槽，所述第二宽度与所述第一宽度不同；第二功能膜，其适形于所述第二沟槽中的所述第二栅极绝缘膜，并限定第三沟槽；以及金属区，其在所述第三沟槽中。
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