[发明专利]半导体器件

摘要

本发明提供一种半导体器件，包括：衬底、位于衬底表面的外延层和位于外延层中的器件区，其中：衬底中的固定区域内设置有氧化层埋层，该氧化层埋层与外延层接触，并正对于器件区内的漂移区；位于外延层中，除与氧化层埋层正对的区域外设置有第一扩散区，该第一扩散区与衬底相接触；该第一扩散区中的杂质导电类型与衬底中的杂质的导电类型相同。本发明实施例有效解决了现有技术中制造如射频‑横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管，其在进行下沉层高温驱入时浓掺杂衬底中杂质上扩导致漂移区下有效外延层厚度减小，进而使器件击穿电压下降的技术问题。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底、位于所述衬底表面的外延层和位于所述外延层中的器件区，其中：所述衬底中的固定区域内设置有氧化层埋层，所述氧化层埋层与所述外延层接触，并正对于所述器件区内的漂移区；位于所述外延层中，除与所述氧化层埋层正对的区域外设置有第一扩散区，所述第一扩散区与所述衬底相接触；所述第一扩散区中的杂质导电类型与所述衬底中的杂质的导电类型相同；还包括：位于所述外延层中，远离衬底的外延层表面的固定区域内设置的下沉层，所述下沉层中的杂质导电类型与所述衬底中的杂质的导电类型相同；位于所述外延层中，围绕所述下沉层外围设置的第二扩散区，所述第二扩散区分别与所述第一扩散区和源极区接触，所述源极区设置于所述器件区，所述第二扩散区中的杂质浓度高于所述外延层中的杂质浓度，所述第二扩散区为所述下沉层内杂质在高温下扩散到所述外延层中形成。