[发明专利]用于太阳能电池的核-壳纳米晶及其太阳能电池结构有效
申请号: | 201410230120.0 | 申请日: | 2014-05-28 |
公开(公告)号: | CN104009111B | 公开(公告)日: | 2017-01-11 |
发明(设计)人: | 王彪;钱艳楠;牛营营;高森沛 | 申请(专利权)人: | 中山大学 |
主分类号: | H01L31/054 | 分类号: | H01L31/054 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司44102 | 代理人: | 陈卫 |
地址: | 510006 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及太阳能电池的技术领域,更具体地,涉及用于太阳能电池的核‑壳纳米晶及其太阳能电池结构。用于太阳能电池的核‑壳纳米晶,其中,包括内核和包覆在内核外的壳层,所述内核为稀土离子掺杂LiNbO3纳米晶,所述壳层为与内核相同或不同的稀土离子掺杂LiNbO3纳米晶。太阳能电池结构,包括依次层叠的电池板、绝缘层、转换发光层以及发射层,所述转换发光层由用于太阳能电池的核‑壳纳米晶制成。本发明全光光谱核‑壳纳米晶采用核‑壳结构,实现上转换和下转换发光层结合于一体,吸收和利用全光光谱太阳光,并应用于太阳能电池中。同时,壳层纳米晶通过修饰内核纳米晶的表面缺陷及与内核层稀土离子之间的能量传递过程来提高上/下转换发光效率。 | ||
搜索关键词: | 用于 太阳能电池 纳米 及其 结构 | ||
【主权项】:
用于太阳能电池的核‑壳纳米晶,其特征在于,包括内核和包覆在内核外的壳层,所述内核为Er3+离子掺杂LiNbO3纳米晶,所述壳层为与内核不同的Tm3+、Eu3+离子掺杂LiNbO3纳米晶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中山大学,未经中山大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201410230120.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:轨道车辆侧墙电阻点焊系统及方法
- 下一篇:一种管子的单面焊双面成型的焊接工艺
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的