[发明专利]光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统有效
| 申请号： | 201410229679.1 | 申请日： | 2014-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105223770B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 张雷;王谨恒;陈洁;万金垠 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。本发明还公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，不会增加系统的负担。 | ||
| 搜索关键词： | 光学 临近 效应 修正 标记 特殊 处理 图形 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，其特征在于，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行边缘向外扩展预设值放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410229679.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
