[发明专利]光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统

说明书

本发明公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。本发明还公开了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，不会增加系统的负担。

技术领域

本发明涉及半导体制备技术领域，特别是涉及一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统。

背景技术

在半导体的制备过程中，当客户的版图中出现有特殊设计的区域时，为了实现OPC(Optical Proximity Correction，光学临近效应修正)时对此区域进行特殊处理，客户会增加一层标记层(mark layer)对此特殊区域进行标注。但是，客户提供的标记层经常会出现只覆盖多边图形(polygon)部分区域的现象，如图2所示，从而导致系统对标记层覆盖(under mark layer)区域识别错误。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种避免标记层只覆盖多边图形部分区域的光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法。

还提供了一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统。

一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法，包括步骤：获取半导体版图和标记层；获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；将所述新的多边图形与所述标记层合成为一个新的标记层；在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。

在其中一个实施例中，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。

在其中一个实施例中，所述对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形的步骤具体为：将所述多边图形的边缘向外扩展预设值。

在其中一个实施例中，所述预设值为0～50纳米。

在其中一个实施例中，所述预设值为20～30纳米。

一种光学临近效应修正中标记特殊处理图形的系统，包括：第一获取模块，用于获取半导体版图和标记层；第二获取模块，用于获取所述半导体版图中与所述标记层有重叠区域的多边图形；放大处理模块，用于对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形；合成模块，用于将所述新的多边图形与所述标记层合成一个新的标记层；以及特殊处理模块，用于在光学临近效应修正工艺中对被所述新的标记层覆盖的多边图形进行特殊处理。

在其中一个实施例中，所述有重叠区域的多边图形包括完全与所述标记层重叠的多边图形和部分与所述标记层重叠的多边图形。

在其中一个实施例中，所述放大处理模块用于对所述多边图形进行放大处理得到新的多边图形具体为：所述放大处理模块将所述多边图形的边缘向外扩展预设值。

在其中一个实施例中，所述预设值为0～50纳米。

在其中一个实施例中，所述预设值为20～30纳米。

上述光学临近效应修正中标记特殊处理图形的方法和系统，通过对获取的半导体版图中与标记层有重叠区域的多边图形进行放大处理后与标记层合成为一个新的标记层，能够避免出现标记层只覆盖多边图形部分区域的现象，有效避免系统对标记层覆盖区域识别错误现象的发生，且该方法简单易行，不会增加系统的负担。

附图说明