[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件的制造方法，通过在层间介电层与第二硬掩膜层之间增加第一硬掩膜层，并采用不易对层间介电层造成损伤的反应气体对第一硬掩膜层未被掩膜层覆盖的部分进行去除，可以避免对层间介电层造成不当刻蚀，从而在一定程度上避免多晶硅栅极被过度去除，提高半导体器件的性能和良率。本发明的电子装置，由于使用了上述的半导体器件，因而具有更好的性能。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供包括半导体衬底以及分别位于所述半导体衬底的第一类型金属栅极晶体管区、第二类型金属栅极晶体管区和多晶硅栅极晶体管区的第一伪栅极、第二伪栅极和多晶硅栅极的前端器件，在所述半导体衬底上形成层间介电层；步骤S102：在所述层间介电层上形成第一硬掩膜层以及位于所述第一硬掩膜层之上的第二硬掩膜层，其中所述第一硬掩膜层的材料为先进的图形化薄膜；步骤S103：在所述第二硬掩膜层上形成暴露出所述第一类型金属栅极晶体管区的掩膜层；步骤S104：去除所述第二硬掩膜层未被所述掩膜层覆盖的部分，采用不易对所述层间介电层造成损伤的反应气体去除所述第一硬掩膜层未被所述掩膜层覆盖的部分；步骤S105：去除所述第一伪栅极，在所述第一伪栅极原来的位置形成第一功函数金属层以及位于所述第一功函数金属层之上的栅极金属层；步骤S106：通过CMP去除所述栅极金属层与所述第一功函数金属层高于所述层间介电层的部分以及所述第二硬掩膜层与所述第一硬掩膜层，形成第一金属栅极。