[发明专利]一种CdS量子点光电探测单元的制备方法

摘要

本发明涉及一种基于纳米材料构建光电探测单元的制备方法，具体是指一种CdS量子点光电探测单元的制备方法。本发明是通过微纳米加工技术，先在硅(Si)衬底表面制备Au电极，然后采用连续离子层吸附法(SILAR)，室温下于电极之间生长CdS量子点，最后对构建的CdS量子点光电探测单元进行光电性能测试。本发明的优点是：工艺可控性强，操作简单，普适性好。

主权项

一种CdS量子点光电探测单元的制备方法，其特征在于包括下述步骤：1)硅衬底预处理：对镀有SiO₂绝缘薄膜的P型(100)硅片，用丙酮、乙醇和去离子水分别超声清洗5～20分钟，并自然晾干；2)器件电极的制备：采用紫外光刻技术及薄膜沉积技术在硅衬底表面制备器件的源电极和漏电极，源电极、漏电极采用Au作为电极材料，电极间隔为20微米，Au电极厚度均为70～100纳米；3)在源、漏电极之间生长CdS量子点：采用连续离子层吸附法，室温下于电极之间生长CdS量子点，循环生长次数为5～10次，制备所得CdS量子点光电探测单元。