[发明专利]多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201410218728.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104003454A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 宋卫国;窦智峰;曹昌燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用。本发明提供的制备四氧化三钴纳米线的方法，包括如下步骤：将可溶性无机钴盐、无机氟盐、碱源与水混匀后进行水热反应，反应完毕后收集絮状沉淀进行煅烧，得到所述四氧化三钴纳米线。本发明提供的表面氟掺杂一维多孔氧化钴纳米线，具有结构新颖独特、原料适用性广、成本低、方法简单安全、易于工业化生产等优点。它可广泛的用于环境中易燃、易爆、有毒的一氧化碳气体的气敏监(检)测，具有广阔的应用空间。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 氧化钴 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种制备四氧化三钴纳米线的方法，包括如下步骤：将可溶性无机钴盐、无机氟盐、碱源与水混匀后进行水热反应，反应完毕后收集絮状沉淀干燥后煅烧，得到所述四氧化三钴纳米线。
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