[发明专利]多孔氧化钴纳米线及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201410218728.1 | 申请日： | 2014-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104003454A | 公开（公告）日： | 2014-08-27 |
| 发明（设计）人： | 宋卫国;窦智峰;曹昌燕 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C01G51/04 | 分类号： | C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00;G01N33/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多孔 氧化钴 纳米 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种制备四氧化三钴纳米线的方法，包括如下步骤：
将可溶性无机钴盐、无机氟盐、碱源与水混匀后进行水热反应，反应完毕后收集絮状沉淀干燥后煅烧，得到所述四氧化三钴纳米线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述可溶性无机钴盐选自氯化钴、硝酸钴和硫酸钴中的至少一种；
所述无机氟盐为氟化钠、氟化铵或氟化钾；
所述碱源为尿素、碳酸钠或碳酸氢钠。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述可溶性钴盐、无机氟盐、碱源的摩尔比为1：1：1，所述可溶性钴盐与水的摩尔比为1：3000～4000。
4.根据权利要求1-3任一所述的方法，其特征在于：所述水热反应步骤中，温度为120-160℃，时间为2-12小时。
5.根据权利要求1-4任一所述的方法，其特征在于：所述煅烧步骤中，温度为300-500℃，由室温升至煅烧所用温度的升温速率为1-5℃/min，具体为4℃/min，时间为1-3小时。
6.权利要求1-5任一所述方法制备得到的四氧化三钴纳米线。
7.根据权利要求6所述的纳米线，其特征在于：所述纳米线为一维多孔结构；
所述纳米线的比表面积为60-20m2/g，具体为45m2/g；
所述纳米线的直径为50-150nm，具体为100nm；
所述纳米线中孔的孔径为2-50nm，具体为3-30nm。
8.权利要求6或7所述四氧化三钴纳米线在制备气敏传感器中的应用。
9.含有权利要求6或7所述四氧化三钴纳米线的气敏传感器。
10.根据权利要求8所述的应用或权利要求9所述的气敏传感器，其特征在于：所述气敏传感器为对一氧化碳敏感的气敏传感器；
所述气敏传感器的工作温度不大于100℃。
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