[发明专利]一种掩膜版雾化控制方法及装置有效
| 申请号： | 201410216694.2 | 申请日： | 2014-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN105093814B | 公开（公告）日： | 2019-08-13 |
| 发明（设计）人： | 徐卿栋;卢子轩 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/44 | 分类号： | G03F1/44;G03F1/72;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种掩膜版雾化控制方法及装置，所述控制方法包括步骤：1）从待扫描测试的掩膜版中选择出在预设时间内使用次数大于或等于预设次数的第一数量掩膜版；2）依据公式R=r1*r2*r3*r4*r5计算出所述第一数量掩膜版中各掩膜版的雾化风险值R，其中，r1为掩膜版的曝光总剂量风险值，r2为掩膜版的使用年限风险值，r3为掩膜版的清洗次数风险值，r4为掩膜版的存储方式风险值，r5为掩膜版的制程线宽风险值，3）依据雾化风险值从高到低依次对全部或部分掩膜版进行扫描测试，并根据扫描测试的结果确定实际被雾化的掩膜版。本发明能有效的节约时间和成本，且可以高效率的实现对掩膜版的雾化控制，有利于器件生产的稳定性。本发明方案简单，适用于工业检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掩膜版 雾化 控制 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种掩膜版雾化控制方法，其特征在于，至少包括以下步骤：1)从待扫描测试的掩膜版中选择出在预设时间内使用次数大于或等于预设次数的第一数量掩膜版；2)依据公式R＝r1*r2*r3*r4*r5计算出所述第一数量掩膜版中各掩膜版的雾化风险值R，其中，r1为掩膜版的曝光总剂量风险值，r2为掩膜版的使用年限风险值，r3为掩膜版的清洗次数风险值，r4为掩膜版的存储方式风险值，r5为掩膜版的制程线宽风险值；3)依据雾化风险值从高到低依次对全部或部分掩膜版进行扫描测试，并根据扫描测试的结果确定实际被雾化的掩膜版；4)对实际被雾化的掩膜版进行修复。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410216694.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
