[发明专利]场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410199554.9 | 申请日： | 2014-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN105097888A | 公开（公告）日： | 2015-11-25 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种场效应晶体管及其制造方法。该场效应晶体管包括：衬底；第一应变层，第一应变层设置在衬底上，第一应变层包括底层和顶层；第二应变层，第二应变层包括间隔设置的两个子应变层，两个子应变层设置在底层上，两个子应变层之间的间隙处设置有顶层。根据本申请，能够提高场效应晶体管的载流子迁移率，提高场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，其特征在于，包括：衬底；第一应变层，所述第一应变层设置在所述衬底上，所述第一应变层包括底层和顶层；第二应变层，所述第二应变层包括间隔设置的两个子应变层，两个所述子应变层设置在所述底层上，两个所述子应变层之间的间隙处设置有所述顶层。
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