[发明专利]分层的光学波导和近场换能器有效
| 申请号： | 201410198275.0 | 申请日： | 2014-02-11 |
| 公开（公告）号： | CN104050979B | 公开（公告）日： | 2018-03-30 |
| 发明（设计）人： | 黄晓岳;M·C·考茨基;赵彤 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31;G11B5/48 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 何焜 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了分层的光学波导和近场换能器。波导，包括由具有折射率n4的材料制成的顶覆层；芯双层结构，该芯双层结构包括具有折射率n3的较低折射率的芯层以及具有折射率n1的较高折射率的芯层，其中较高折射率的芯层包括TiO2，以及Nb2O5、CeO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、Y2O3、Sc2O3、MgO、Al2O3和SiO2中的一种或多种，其中较低折射率的芯层邻近于较高折射率的芯层；由具有折射率n2的材料制成的底覆层，其中该波导被配置成使得芯双层结构的较高折射率的芯层邻近于顶覆层并且芯双层结构的较低折射率的芯层邻近于底覆层，其中n4小于n3和n1，并且n2小于n3和n1。 | ||
| 搜索关键词： | 分层 光学 波导 近场 换能器 | ||
【主权项】：
一种波导，包括：由具有折射率n4的材料制成的顶覆层；芯双层结构，所述芯双层结构包括：具有折射率n3的较低折射率的芯层；以及具有折射率n1的较高折射率的芯层，其中较高折射率的芯层包括TiO2，以及Nb2O5、CeO2、Ta2O5、ZrO2、HfO2、Y2O3、Sc2O3、MgO、Al2O3和SiO2中的一种或多种，其中较低折射率的芯层邻近于较高折射率的芯层；由具有折射率n2的材料制成的底覆层，其中所述波导被配置成使得芯双层结构的较高折射率的芯层邻近于顶覆层并且芯双层结构的较低折射率的芯层邻近于底覆层，其中n4小于n3和n1，并且n2小于n3和n1，其中，所述芯双层结构的层每个都包括基于各自靠近顶覆层和底覆层而从最大到最小排序的折射率。
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