[发明专利]分层的光学波导和近场换能器

说明书

背景技术

在热辅助磁性/光学记录中，信息位在高温下被记录到存储介质的存储层。通常，存储介质上的点或位被加热以充分降低其矫顽力，使得所施加的磁场或光写入信号可以将数据记录到存储介质。当前加热存储介质的方法包括将能量引导和集中到存储介质。需要用于集中能量的不同和更有利的方法和设备，以便减小加热点的大小，以便增加存储介质的存储密度。

发明内容

公开了波导，其包括：由具有折射率n₄的材料制成的顶覆层；芯双层结构，该芯双层结构包括具有折射率n₃的较低折射率的芯层以及具有折射率n₁的较高折射率的芯层，其中较高折射率的芯层包括TiO₂，以及Nb₂O₅、CeO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Y₂O₃、Sc₂O₃、MgO、Al₂O₃和SiO₂中的一种或多种，其中较低折射率的芯层邻近于较高折射率的芯层；由具有折射率n₂的材料制成的底覆层，其中该波导被配置成使得芯双层结构的较高折射率的芯层邻近于顶覆层并且芯双层结构的较低折射率的芯层邻近于底覆层，其中n₄小于n₃和n₁，并且n₂小于n₃和n₁。

还公开了设备，其包括：光源；以及波导，该波导包括：由具有折射率n₄的材料制成的顶覆层；芯双层结构，该芯双层结构包括具有折射率n₃的较低折射率的芯层以及具有折射率n₁的较高折射率的芯层，其中较高折射率的芯层包括TiO₂，以及Nb₂O₅、CeO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Y₂O₃、Sc₂O₃、MgO、Al₂O₃和SiO₂中的一种或多种，其中较低折射率的芯层邻近于较高折射率的芯层；由具有折射率n₂的材料制成的底覆层，其中该波导被配置成使得芯双层结构的较高折射率的芯层邻近于顶覆层并且芯双层结构的较低折射率的芯层邻近于底覆层，其中n₄小于n₃和n₁，而n₂小于n₃和n₁，其中光源和波导被配置成使得来自光源的光被引导进波导。

还公开了盘式驱动器，其包括：具有弯曲部的至少一个致动器臂；至少一个设备，其中每个弯曲部在其远端具有头部，其中每个设备包括：光源；以及波导，该波导包括：由具有折射率n₄的材料制成的顶覆层；芯双层结构，该芯双层结构包括：具有折射率n₃的较低折射率的芯层；以及具有折射率n₁的较高折射率的芯层，其中较高折射率的芯层包括TiO₂，以及Nb₂O₅、CeO₂、Ta₂O₅、ZrO₂、HfO₂、Y₂O₃、Sc₂O₃、MgO、Al₂O₃和SiO₂中的一种或多种，其中较低折射率的芯层邻近于较高折射率的芯层；由具有折射率n₂的材料制成的底覆层，其中该波导被配置成使得芯双层结构的较高折射率的芯层邻近于顶覆层并且芯双层结构的较低折射率的芯层邻近于底覆层，其中n₄小于n₃和n₁，而n₂小于n₃和n₁；磁读取器：以及磁写入器。